K3の住民

最近はレア社のゲームについては書いていませんが、一応レア社のゲームが一番好きな人です。『雪圀』で"圀"は"国"とほぼ同義ですが、国ではありませんって当たり前か(笑)。

ROMやRAMについて色々。

2017/09/06 ROMの項を全体的に修正、またDRAMの項が非常に読みづらかったので
       修正。

皆さん、久しぶりです。雪圀です。
今まで更新してなくてごめんなさい。今日からまた更新していきます。

さて今回は、ROM、RAMについて自分なりに詳しく書いていこうと思います。これで
ROM、RAMについて理解していただけたらと思います。


ROMと言う言葉は、最近よく耳にするようになりました。ですが、RAMは、まだ
聞いたことの無い人もいるのでは無いかと思います。

ROMとRAMは、名前は似てはいますが、実際は用途の異なるものです。ROMは
不揮発性メモリ(電源を落としても記憶を保持するメモリ)であり、RAMは揮発性
メモリ(電源を落とすと記憶が無くなってしまうメモリ)です。そういった意味
では、ROMとRAMは対になるような存在であると言えます。

ROM

Read Only Memory(読み出し専用メモリ)の略語で、前にも書いた通り、不揮発性
メモリであり、電源を落としてもデータが消えることがありません。
読み出し専用メモリの名の通り、本来は書き込むことが出来ません。しかし今では、
EEP(Electrically Erasable Programmable)ROMやフラッシュメモリ*1の登場により、
書き込むことも出来るようになりました(厳密にはこれらはROMとは一概には
言えないのですが・・・)。

  • マスクROM

本来の意味でのROM。書き込みは不可能。現在でも3DSのカートリッジROMで
使われています。
コストが他のROMに比べて低く、量産には大きく役立つ反面、製造に時間がかかり、
また書き込みが出来ない為プログラムの修正は困難です。現在、パッチ修正と言う
言葉を聞きますが、それには別の媒体が必要となります。

書き込み可能。この記事では今現在よく使われている「フラッシュメモリ」について
解説します。
マスクROMと比べると読み出し処理は低速ですが、ほぼ自由に書き込むことが出来
ます。
ですが書き込み回数に制限があり、大体10万回ぐらい書き込んでしまうと書き込み
が出来なくなってしまいます。
フラッシュメモリにはNAND型とNOR型があり、今現在ではNAND型の方が優秀(と
言っても良いのだろうか?)なのでこちらの方がよく使われています。

RAM

Random Access Memory(ランダムアクセスメモリ)の略語で、揮発性メモリで電源
を落とすと書き込まれていた情報が消えてしまいます。
RAMは読み書き出来るという意味はありませんが、任意の順序にアクセスし読み書き
出来るメモリです。
計算や一時的なデータの格納、またスタック領域*2として使われていることが
ほとんどです。ROMは記憶を保持するので、記憶を保持しないRAMの方がこれらに
適していると言えるでしょう。
RAMにはSRAMDRAMの2種類のRAMが存在します。

Dynamic Random Access Memoryの略語です。DRAMは安価ですが、コンデンサを利用
電荷を蓄えることでデータを保持しているので、一定時間経つと放電が発生し
データが消えてしまいます。だから電源を入れている際にもリフレッシュと言う
データの書き直しが必要となります。
また、アクセスする速度もSRAMに比べて遅いので速さを求めるのならばDRAM
あまり向いていないと言えるでしょう。
しかし、構造が複雑で無い故に、集積度*3を上げやすいので今でも主記憶装置として
使われています。

Static Random Access Memoryの略語です。高価であるという欠点を持つものの、
アクセスする速度がDRAMに比べて速く、またフリップフロップ回路を使っており
放電することが無いのでデータが消えません。よってリフレッシュの必要があり
ません。
但し、構造が少し複雑で集積度を上げにくいので、キャッシュメモリ等情報量の
少ないデータを記憶するメモリに使われたりするのが一般的です。


以上です。僕もROM、RAMについては詳しいというわけでは無いので間違っている点
がございましたら指摘していただけるとありがたいです。

今回はこれくらいにしときます。

*1:フラッシュメモリ自体はEEPROMの一種でもある

*2:データを積み重ね、最後に入れたデータから順に取り出すことの出来る領域

*3:集積回路一個における半導体素子の数